[发明专利]制造多层半导体组件的方法及由该方法制造的半导体组件有效
申请号: | 201380058681.0 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN104769154B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 卡洛勒斯·伊达·玛丽亚·安东尼斯·斯裴;保勒斯·威廉默斯·玛丽亚·布罗姆;J·W·莱韦尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/44 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 吕艳英;张颖玲 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及一种多层半导体组件的制造方法。依据此方法,第一装置层通过在载体上溶液印刷第一材料而提供于该载体上。第二装置层通过在该第一装置层上溶液印刷第二材料溶液而提供,该第二材料溶液包含溶于溶剂的第二装置层材料。在溶液印刷第二装置层之前,障壁中间层被添加于第一层上,以配置在该第一装置层与该第二装置层之间。障壁中间层包含不溶于该溶剂的中间层材料,且被配置成能在第一装置层与第二装置层之间进行电交互作用。本发明进一步提供一种半导体组件。 | ||
搜索关键词: | 第二装置 半导体组件 第一装置 溶液印刷 第二材料 中间层 溶剂 多层 障壁 制造 中间层材料 第一材料 交互作用 第一层 不溶 配置 | ||
【主权项】:
1.一种制造多层半导体组件的方法,该方法包含以下步骤:提供载体;通过溶液印刷用于形成第一装置层的第一材料溶液而在该载体上提供第一装置层;及通过在该第一装置层上溶液印刷第二材料溶液而提供第二装置层,该第二材料溶液包含溶于溶剂中的第二装置层材料;其中,该方法包含在提供该第二装置层之前提供用于配置在该第一装置层与该第二装置层之间的障壁中间层的步骤,该障壁中间层包含不溶于该溶剂的中间层材料,其中,该中间层材料为半导体材料,其中,该障壁中间层被提供为具有使所述障壁中间层没有开口的厚度,其中,该障壁中间层被提供为具有至少三个单层或大于0.6纳米的厚度,且该障壁中间层被配置以使该第一装置层与该第二装置层之间能进行电交互作用。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的