[发明专利]制造多层半导体组件的方法及由该方法制造的半导体组件有效

专利信息
申请号: 201380058681.0 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN104769154B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 卡洛勒斯·伊达·玛丽亚·安东尼斯·斯裴;保勒斯·威廉默斯·玛丽亚·布罗姆;J·W·莱韦尔 申请(专利权)人: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/44
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 吕艳英;张颖玲
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种多层半导体组件的制造方法。依据此方法,第一装置层通过在载体上溶液印刷第一材料而提供于该载体上。第二装置层通过在该第一装置层上溶液印刷第二材料溶液而提供,该第二材料溶液包含溶于溶剂的第二装置层材料。在溶液印刷第二装置层之前,障壁中间层被添加于第一层上,以配置在该第一装置层与该第二装置层之间。障壁中间层包含不溶于该溶剂的中间层材料,且被配置成能在第一装置层与第二装置层之间进行电交互作用。本发明进一步提供一种半导体组件。
搜索关键词: 第二装置 半导体组件 第一装置 溶液印刷 第二材料 中间层 溶剂 多层 障壁 制造 中间层材料 第一材料 交互作用 第一层 不溶 配置
【主权项】:
1.一种制造多层半导体组件的方法,该方法包含以下步骤:提供载体;通过溶液印刷用于形成第一装置层的第一材料溶液而在该载体上提供第一装置层;及通过在该第一装置层上溶液印刷第二材料溶液而提供第二装置层,该第二材料溶液包含溶于溶剂中的第二装置层材料;其中,该方法包含在提供该第二装置层之前提供用于配置在该第一装置层与该第二装置层之间的障壁中间层的步骤,该障壁中间层包含不溶于该溶剂的中间层材料,其中,该中间层材料为半导体材料,其中,该障壁中间层被提供为具有使所述障壁中间层没有开口的厚度,其中,该障壁中间层被提供为具有至少三个单层或大于0.6纳米的厚度,且该障壁中间层被配置以使该第一装置层与该第二装置层之间能进行电交互作用。
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