[发明专利]用于具有再循环的空间原子层沉积的设备及其使用方法在审
申请号: | 201380056872.3 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN104756232A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | J·约德伏斯基;H·P·穆格卡;M·S·考克斯;Z·原 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本文提供原子层沉积设备及方法,包括数个狭长气体端口及泵端口,该等泵端口与多个导管连通以从处理腔室传送待冷凝、储存及/或再循环的气体。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 再循环 空间 原子 沉积 设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种沉积系统,该沉积系统包含:处理腔室;以及气体分配设备,该气体分配设备位于该处理腔室中,该气体分配设备包含数个狭长气体端口,该等数个狭长气体端口包括与第一反应气体流体连通的至少一个第一反应气体端口、与不同于该第一反应气体的第二反应气体流体连通的至少一个第二反应气体端口及围绕该第一反应气体端口及第二反应气体端口中的每一者的泵端口,该等泵端口包括与第一导管流体连通的第一组泵端口及与第二导管流体连通的第二组泵端口,如此阻止经由该第一组泵端口及第二组泵端口流动的气体混合,其中该第一导管及第二导管中的一或更多者与冷凝经由该导管流动的该气体的冷凝器及储存经由该导管流动的该气体的储存容器中一或更多者流体连通。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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