[发明专利]半导体装置和显示装置

摘要

阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。 1

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

形成在所述基板上的第一金属膜；

至少形成在所述第一金属膜上的第一绝缘膜；

形成在所述第一绝缘膜上的半导体膜；

至少形成在所述半导体膜上的第二金属膜；

至少形成在所述第二金属膜上的第二绝缘膜；

形成在所述第二绝缘膜上的有机绝缘膜；

形成在所述有机绝缘膜上的第一透明电极膜；

至少形成在所述第一透明电极膜上的第三绝缘膜；

至少形成在所述第三绝缘膜上的第二透明电极膜；

在所述基板的板面内显示图像的显示部；

配置于所述显示部的显示部用晶体管，该显示部用晶体管至少具有：由所述第一金属膜形成的第一栅极电极部；由所述半导体膜形成、且俯视时与所述第一栅极电极部重叠的第一沟道部；由所述第二金属膜形成、且与所述第一沟道部连接的第一源极电极部；和由所述第二金属膜形成、且与所述第一沟道部连接的第一漏极电极部；

配置于所述显示部并由所述第一透明电极膜形成的第一透明电极部；

第一绝缘部，该第一绝缘部配置于所述显示部，并由所述第二绝缘膜、所述有机绝缘膜和所述第三绝缘膜形成，在俯视时与所述第一漏极电极部重叠的位置贯通形成有接触孔；

第二透明电极部，该第二透明电极部配置于所述显示部，并由所述第二透明电极膜形成，通过所述接触孔与所述第一漏极电极部连接；

在所述基板的板面内配置在所述显示部外的非显示部；

配置于所述非显示部的非显示部用晶体管，该非显示部用晶体管至少具有：由所述第一金属膜形成的第二栅极电极部；由所述半导体膜形成、且俯视时与所述第二栅极电极部重叠的第二沟道部；由所述第二金属膜形成、且与所述第二沟道部连接的第二源极电极部；和由所述第二金属膜形成、且与所述第二沟道部连接的第二漏极电极部；

配置于所述非显示部，并由所述第三绝缘膜形成的上层侧绝缘部；和

配置于所述非显示部，并至少由形成在所述第二金属膜上的所述第二绝缘膜形成，层叠于所述上层侧绝缘部的下层侧的下层侧绝缘部，

在所述非显示部，在相对于所述非显示部用晶体管的上层侧不存在在所述显示部存在的所述有机绝缘膜，

所述下层侧绝缘部的膜厚比所述上层侧绝缘部的膜厚相对大。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述下层侧绝缘部和所述上层侧绝缘部不包括在所述显示部存在的所述有机绝缘膜。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具备以至少介于所述半导体膜与所述第二金属膜之间的方式形成的保护所述半导体薄膜的保护膜，

所述显示部用晶体管具有由所述保护膜形成且在俯视时与所述第一沟道部重叠的位置贯通形成有2个第一开口部的第一保护部，所述第一源极电极部通过2个所述第一开口部中的一个所述第一开口部与所述第一沟道部连接，而所述第一漏极电极部通过2个所述第一开口部中的另一个所述第一开口部与所述第一沟道部连接，

所述非显示部用晶体管具有由所述保护膜形成且在俯视时与所述第二沟道部重叠的位置贯通形成有2个第二开口部的第二保护部，所述第二源极电极部通过2个所述第二开口部中的一个所述第二开口部与所述第二沟道部连接，而所述第二漏极电极部通过2个所述第二开口部中的另一个所述第二开口部与所述第二沟道部连接，

所述下层侧绝缘部由所述第二绝缘膜和所述保护膜形成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述显示部用晶体管中，构成所述第一绝缘部的所述第二绝缘膜的膜厚比构成所述第一绝缘部的所述第三绝缘膜的膜厚大，且与构成所述非显示部用晶体管所具有的所述下层侧绝缘部的所述第二绝缘膜的膜厚相同。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第三绝缘膜由氮化硅形成。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述有机绝缘膜由丙烯酸类树脂材料形成。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体膜由氧化物半导体形成。

8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，具备：

配置于所述显示部，通过与所述第一栅极电极部连接而对所述显示部用晶体管传输扫描信号的扫描信号线；和

配置于所述非显示部，与所述扫描信号线连接并向所述扫描信号线供给所述扫描信号的缓冲电路部，

所述非显示部用晶体管构成所述缓冲电路部。

9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二绝缘膜由氧化硅形成。

10.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一绝缘膜形成为由氮化硅形成的下层侧第一绝缘膜、和配置于所述下层侧第一绝缘膜与所述半导体膜之间的由氧化硅形成的上层侧第一绝缘膜的层叠结构。

11.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜，在所述显示部和所述非显示部的整个区域中俯视时图案相同。

12.一种显示装置，其特征在于，具备：

权利要求1～11中任一项所述的半导体装置；

以与所述半导体装置相对的方式配置的对置基板；和

配置于所述半导体装置与所述对置基板之间的液晶层。