[发明专利]用于晶锭研磨的系统和方法无效

专利信息
申请号: 201380035059.8 申请日: 2013-05-02
公开(公告)号: CN104411456A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: J·A·希克斯;N·R·墨丘里奥 申请(专利权)人: MEMC新加坡私人有限公司
主分类号: B24B9/06 分类号: B24B9/06;C30B33/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 秘凤华;吴鹏
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明公开了一种研磨晶锭的方法,该晶锭用于制造半导体或太阳能晶片。该方法包括提供晶锭,该晶锭包括四个平的侧面和四个倒圆的角部,每个角部在一对相邻的平的侧面之间延伸,该方法还包括在每个角部上研磨多个平的小面,所述角部的每个平的小面在接合部处与相邻的小面连接并且定向成以使得每个角部具有大体弓形的形状。本发明还公开了晶片和晶锭。
搜索关键词: 用于 研磨 系统 方法
【主权项】:
一种研磨晶锭的方法,该晶锭用于制造半导体或太阳能晶片,该方法包括:提供包括四个平的侧面和四个角部的晶锭,每个角部在一对相邻的平的侧面之间延伸;以及在每个角部上研磨出多个平的小面,所述角部的每个平的小面在接合部处与相邻的小面连接,并且定向成使得每个角部具有大体弓形的形状。
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