[发明专利]基于跨越晶片的参数变化的测量模型优化

摘要

基于跨越半导体晶片的参数变化的模型来确定优化测量模型。全局跨晶片模型依据所述晶片上的位置而表征结构参数。通过使用工艺变化的所述跨晶片模型约束测量模型而优化所述测量模型。在一些实例中，所述跨晶片模型本身为参数化模型。然而，所述跨晶片模型表征所述晶片上的任何位置处的结构参数的值，其中参数远少于在每个位置处将所述结构参数视为未知的测量模型。在一些实例中，所述跨晶片模型基于所述晶片上的位置在未知结构参数值之间产生约束。在一个实例中，所述跨晶片模型基于测量位点的群组在所述晶片上的位置而使与所述测量位点的群组相关联的结构参数值相关。

主权项

一种方法，其包括：确定位于半导体晶片上的目标结构的第一测量模型，所述第一测量模型包含第一参数集合；确定表征所述半导体晶片上的任何位置处的所述第一参数集合的至少一个参数的工艺变化的跨晶片模型；接收与通过度量工具对所述目标结构进行的测量相关联的第一数量的测量数据；基于将所述第一数量的测量数据拟合于受所述跨晶片模型约束的所述目标结构的第二测量模型而确定表征所述目标结构的第二参数值集合；及将所述第二参数值集合存储在存储器中。