[发明专利]n型光吸收层用合金及其制造方法以及太阳能电池有效
| 申请号： | 201380025435.5 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104285279B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吉野贤二;永冈章;广濑俊和;山下三香 | 申请（专利权）人： | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司;国立大学法人宫崎大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英,何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在光吸收层与缓冲层的界面可以高精度地成膜pn同质接合层，可以提高太阳能电池的转换效率的n型CIGS合金或n型CIGSS合金的制造方法和太阳能电池的制造方法。n型CIGS合金通过下述工序制造将铜、铟、镓混合并真空封入到安瓿中，使其在高温结晶化而制作CIG合金的第1工序，将CIG合金粉碎而制成CIG合金粉末的第2工序；以及在粉碎后的CIG合金中混合硒、和由IIb族元素与VIb族元素构成的化合物，使其在高温结晶化而制作n型CIGS合金的第3工序。由IIb族元素与VIb族元素构成的化合物为硒化镉或硒化锌。n型CIGSS5元系合金进一步包含硫，在第3工序中添加硫。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收 合金 及其 制造 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种n型光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，是包含铜、铟、镓、硒和IIb族元素的n型光吸收层用合金的制造方法，其具备下述工序：将铜、铟、镓混合，使其在1000～1100℃结晶化而制作CIG合金的第1工序，将所述CIG合金粉碎而制成CIG合金粉末的第2工序，以及在粉碎了的所述CIG合金粉末中混合硒、和由IIb族元素与VIb族元素构成的化合物，使其在1000～1100℃结晶化而制作n型CIGS合金的第3工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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