[发明专利]制造合成单晶金刚石材料的方法有效

专利信息
申请号: 201380022945.7 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN104271239B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: D·玻瑟;E·古拉;C·N·道吉;R·A·斯皮特斯 申请(专利权)人: 六号元素技术有限公司
主分类号: B01J23/889 分类号: B01J23/889;B01J3/06;B01J23/75;B01J23/755;C30B29/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 王海宁
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种制造多个合成单晶金刚石的方法,该方法包括形成多个籽晶垫,每个籽晶垫包含锚固于或嵌入惰性支持物的多个单晶金刚石籽晶;将碳源、金属催化剂和所述多个籽晶垫装入容器;将该容器装入高压高温(HPHT)压力机;和使该容器经受HPHT生长周期以在所述多个单晶金刚石籽晶上生长单晶金刚石材料,该HPHT生长周期包括通过增加压力和温度,开始在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长;通过控制和维持压力及温度经由压力驱动的生长工艺,维持在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长;和通过降低压力和温度,终止在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长,其中,在HPHT生长周期期间,所述多个单晶金刚石籽晶保持锚固于或嵌入该惰性支持物。
搜索关键词: 制造 合成 金刚石 材料 方法
【主权项】:
一种制造多个合成单晶金刚石的方法,该方法包括:形成多个籽晶垫,每个籽晶垫包含锚固于或嵌入惰性支持物的多个单晶金刚石籽晶;将碳源、金属催化剂和所述多个籽晶垫装入容器,其中至少一部分碳源的位置距离单晶金刚石籽晶小于0.1mm;将该容器装入高压高温HPHT压力机;和使该容器经受HPHT生长周期以在所述多个单晶金刚石籽晶上生长单晶金刚石材料,该HPHT生长周期包括:通过增加压力和温度,开始在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长;通过控制和维持压力及温度经由压力驱动的生长工艺,维持在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长;和通过降低压力和温度,终止在所述多个单晶金刚石籽晶上的单晶金刚石材料的HPHT生长,其中,在HPHT生长周期期间,所述多个单晶金刚石籽晶保持锚固于或嵌入该惰性支持物。
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