[发明专利]用于生产氧化陶瓷单晶的坩埚有效
| 申请号： | 201380020669.0 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104487618B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱迪斯·亚努斯楚斯基;海克·拉切尔;曼弗莱德·苏利克 | 申请（专利权）人： | 普兰西欧洲股份公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/20;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张天舒,张杰 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由钼或具有大于95原子％的钼含量的钼合金制成的坩埚，用以生产氧化陶瓷单晶，其中坩埚的内侧至少部分地具有一涂层，所述涂层含有至少一种难熔金属并且包含有孔隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 氧化 陶瓷 坩埚 | ||
【主权项】：
一种由钼或具有大于95原子％的钼含量的钼合金制成的坩埚，其特征在于，所述坩埚的内侧至少部分地具有一涂层，所述涂层含有选自由钨和钼组成的组中的至少一种难熔金属并且包含有孔隙，其中所述涂层由一难熔金属/氧化铝复合材料组成。
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