[发明专利]近紫外发光装置有效
| 申请号： | 201380017852.5 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104205367B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 韩昌锡;金华睦;崔孝植;高美苏;李阿兰澈 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩芳,谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开了一种紫外(UV)发光装置。所述发光装置包括n型接触层，包括GaN层；p型接触层，包括GaN层；多量子阱结构的活性区域，设置在n型接触层与p型接触层之间，活性区域被构造为发射波长为365nm至390nm的近紫外光。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：n型接触层，包括GaN层；p型接触层，包括GaN层；以及活性区域，包括形成设置在n型接触层与P型接触层之间的多量子阱结构的势垒层和阱层，势垒层包括Al，活性区域被构造为发射波长为375nm至390nm的近紫外光，其中，势垒层的第一势垒层设置为最靠近n型接触层，第一势垒层包含比其它势垒层多10％至20％的Al并具有比其它势垒层宽至少0.5eV的带隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380017852.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池组
- 下一篇：具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管
