[发明专利]气体输送系统和气体输送系统的使用方法有效
申请号: | 201380017350.2 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN104205290B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 叶祉渊;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;丹尼斯·德马斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在此提供气体输送系统和气体输送系统的使用方法。在一些实施方式中,气体输送系统可包括第一气体供应器,以沿着第一流动路径提供第一气体;流量分配器,流量分配器设置在第一流动路径中以将第一流动路径划分成通往多个对应的气体输送区的多个第二流动路径;和多个第二气体供应器,第二气体供应器分别耦接至对应的一个第二流动路径,以独立地提供第二气体至多个第二流动路径的相应一个。 | ||
搜索关键词: | 气体 输送 系统 使用方法 | ||
【主权项】:
一种气体输送系统,包括:多个第一气体供应器,以沿着第一流动路径提供多个第一气体;流量分配器,所述流量分配器设置在所述第一流动路径中以将所述第一流动路径划分成通往多个对应气体输送区的多个第二流动路径;多个第二气体供应器,所述第二气体供应器的每一个分别耦接至对应的一个所述第二流动路径,以独立地提供第二气体至所述多个第二流动路径的相应一个;第三气体供应器,所述第三气体供应器耦接至所述多个第一气体供应器上游的所述第一流动路径以供应第三气体至所述第一流动路径,以促进所述多个第一气体移动通过所述第一流动路径;对应于所述多个第一气体供应器的多个质量流量控制器,所述质量流量控制器的每一个被设置在对应的一个所述多个第一气体供应器与所述流量分配器之间,以控制所述第一流动路径内的所述多个第一气体的浓度;和流量比控制器,所述流量比控制器耦接至所述多个第二流动路径的每一个,以控制提供至所述多个第二流动路径的每一个的所述多个第一气体和所述第二气体的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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