[发明专利]借助于3D霍尔传感器非接触地测量相对位置的方法有效
申请号: | 201380016198.6 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN104204730A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | O.沙夫 | 申请(专利权)人: | 泰科电子AMP有限责任公司 |
主分类号: | G01D5/244 | 分类号: | G01D5/244 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吴艳 |
地址: | 德国本*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种非接触地测量产生磁场的磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此的相对位置的方法。本发明还涉及相应的位移传感器。本发明描述了传感器的工作原理,该工作原理基于霍尔效应,并且通过当由磁场的控制丢失时存储更早的值,以及同时在尺寸上减小的磁体而实现传感器输出范围的增大。尤其是,本方法包括如下步骤:基于两个磁通量密度分量的商而计算位置信号;计算磁通量密度的幅值并将该幅值与预定阈值相比较;如果所述磁通量密度的幅值高于阈值,则输出当前计算的位置信号;如果磁通量密度的幅值小于或等于阈值,则输出先前存储的位置信号;存储输出的位置信号。 | ||
搜索关键词: | 借助于 霍尔 传感器 接触 测量 相对 位置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于非接触式测量磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此的相对位置的方法,所述磁场源产生磁场,其中,所述磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此可移动;其中,所述磁场传感器(100)探测所述磁场的磁通量密度的至少两个空间分量(By、Bz),并且位置信号由所测量的分量产生,并且其中所述方法包括以下步骤:基于两个磁通量密度分量的商而计算所述位置信号;计算磁通量密度的幅值并将该幅值与预定的阈值相比较;如果所述磁通量密度的幅值高于所述阈值,则输出当前计算的位置信号;如果所述磁通量密度的幅值小于或等于所述阈值,则输出先前存储的位置信号;存储所输出的位置信号。
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