[发明专利]用于操作并联DMOS开关的方法和电路有效
| 申请号： | 201380015114.7 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104205637B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | D·埃亨尼 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于操作并联的DMOS开关的方法和对应的电路，所述并联的DMOS开关包括彼此串联连接且与彼此串联连接的一对N型DMOS器件并联连接的一对P型DMOS器件。所述方法和电路包括通过将利用DMOS器件对的至少一个源极电压产生的栅极信号应用于DMOS器件对来接通所述开关。通过设定栅极信号等于DMOS器件对的相应的源极电压来关断开关。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 操作 并联 dmos 开关 方法 电路 | ||
【主权项】：
用于操作DMOS开关的方法，所述DMOS开关包括以下至少一个：(a)第一DMOS器件对，其具有串联连接的两个NDMOS器件；以及(b)第二DMOS器件对，其具有串联连接的两个PDMOS器件，所述方法包括：通过利用所述开关中的DMOS器件对的源极电压产生每个DMOS器件对的相应栅极信号来接通所述开关，其中通过放大器处理对应的源极电压来产生各个栅极信号。
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