[发明专利]陶瓷电子部件有效
申请号: | 201380014686.3 | 申请日: | 2013-02-15 |
公开(公告)号: | CN104246930B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 大森贵史;古贺诚史 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在陶瓷坯体(1)的两端部覆盖形成有外部电极(3b),在该外部电极(3b)的表面,形成以Ni为主成分的第1镀敷膜(4b)以及由Sn或焊锡等构成的第2镀敷膜(5b)。外部电极(3b)具有端面部(6b)和侧面折返部(8b)。外部电极(3b)在侧面折返部(8b)的从覆盖端部(7b)向端面部(6b)方向的直线距离(L)至少为5μm内的区域,以与陶瓷坯体(1)连接的方式形成至少含有Si的玻璃层(9)。该玻璃层(9)的平均厚度(t)为3~10μm,玻璃层(9)中的Si的含量为11重量%以上(优选40重量%以下)。由此,即使对外部电极实施镀敷处理,也能够抑制陶瓷坯体的溶出,实现具有良好的机械强度的陶瓷电子部件。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 电子 部件 | ||
【主权项】:
一种陶瓷电子部件,其特征在于,具有端面部和侧面折返部的外部电极覆盖形成在陶瓷坯体的两端部,所述外部电极含有卑金属材料,且在所述侧面折返部的从覆盖端部向所述端面部方向的直线距离至少为5μm内的区域,形成至少含有Si及卑金属氧化物材料的玻璃层,以使得该玻璃层与所述陶瓷坯体相接,所述玻璃层的平均厚度为3~10μm,并且,所述玻璃层中的所述Si成分的含量为11重量%以上且40重量%以下。
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