[实用新型]GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管有效
| 申请号： | 201320860420.8 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659912U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;张翼 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管，其插入层结构为周期结构，即多个氮化铟镓层，以及相邻两个氮化铟镓层之间形成缓冲层。在前一个氮化铟镓层出现V型缺陷前，在前一个氮化铟镓层表面形成缓冲层，最大程度的避免V型缺陷的出现，进而保证了发光层的晶体质量，提高GaN基发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，包括：衬底；n型半导体层，形成于所述衬底表面；插入层，形成于所述n型半导体层表面，且所述插入层包括：多个氮化铟镓层，以及位于相邻两个所述氮化铟镓层之间的缓冲层；发光层，形成于所述插入层表面；电子阻挡层，形成于所述发光层表面；p型半导体层，形成于所述电子阻挡层表面。
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