[实用新型]基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器有效
| 申请号： | 201320796989.2 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203774350U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 叶柏盈;王珊 | 申请（专利权）人： | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0224;C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵;李郁 |
| 地址： | 063000 河北省唐山市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器。该紫外光敏传感器包括形成叉指电极的两组电极，以及设置在叉指电极至少一侧表面的氧化锌纳米膜；所述氧化锌纳米膜由六边纤锌矿晶相的氧化锌纳米线构成；所述叉指电极的两组电极不导通，形成所述紫外光敏传感器的信号输出端。本实用新型的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器，增加了氧化锌纳米结构的比表面积，具有灵敏度高，响应时间短的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锌 纳米 结构 紫外 光敏 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器，其特征在于，包括形成叉指电极的两组电极，以及设置在叉指电极至少一侧表面的氧化锌纳米膜； 所述氧化锌纳米膜由六边纤锌矿晶相的氧化锌纳米线构成； 所述叉指电极的两组电极不导通，形成所述紫外光敏传感器的信号输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
