[实用新型]基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器有效
申请号: | 201320796989.2 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN203774350U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 叶柏盈;王珊 | 申请(专利权)人: | 纳米新能源(唐山)有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;C01G9/02 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵;李郁 |
地址: | 063000 河北省唐山市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 氧化锌 纳米 结构 紫外 光敏 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器领域,尤其是涉及一种基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器。
背景技术
2006年,美国佐治亚理工学院教授王中林等成功地在纳米尺度范围内将机械能转换成电能,研制出世界上最小的发电机-纳米发电机。纳米发电机的基本原理是:当纳米线(NWs,例如氧化锌纳米线)在外力下动态拉伸时,纳米线中生成压电电势,相应瞬变电流在两端流动以平衡费米能级。
氧化锌纳米线作为半导体材料,可以应用于紫外光敏传感器。紫外光敏传感器能够将照射在氧化锌纳米线的紫外光转化为电能,从电极向外输出。然而现有紫外光敏传感器由于氧化锌纳米线的制备方法,具有灵敏度低、响应时间长、制备工艺复杂等缺陷。
常规生长氧化锌纳米线的方法为化学生长方法,例如水热法,使氧化锌纳米线在带有种子层的金属层基底表面生长。以往,在氧化锌纳米线生长过程中,培养液中产生的气泡上升到溶液表面且时常被面朝下的基底表面捕获,抑制了氧化锌纳米线在金属层基底表面上均匀生长。
实用新型内容
常规生长纳米线的方法,例如水热法,氧化锌纳米线在金属层基底表面生长取向度较差,比表面积不高。本实用新型解决的技术问题是提供一种基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,增加了氧化锌纳米结构的比表面积,具有灵敏度高,响应时间短的特点。
本实用新型采用静电纺丝法-煅烧在叉指电极上生成氧化锌纳米膜,该氧化锌纳米膜由六边纤锌矿晶相的氧化锌纳米线构成。或者,优选的进一步以 每根氧化锌纳米线为轴生长氧化锌纳米柱以形成氧化锌纳米柱阵列,该氧化锌纳米柱是在(002)面优势取向的六角柱。由于合成的氧化锌纳米柱(六角柱)的宽高比较高,可以增加氧化锌纳米柱阵列单位体积里的比表面积。
由于氧化锌纳米膜跨越在叉指电极之上,而叉指电极的两对电极之间不导通,当紫外光照射在氧化锌纳米膜上,所输出的电流从两对电极向外输出,紫外光敏传感器输出电流随着紫外光强度呈近似线性的增加,增加了对微小电流变化的灵敏度。本实用新型紫外光敏传感器,灵敏度高、响应时间快,制备工艺简单。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的第一技术方案是:一种基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,包括形成叉指电极的两组电极,以及设置在叉指电极至少一侧表面的氧化锌纳米膜;
所述氧化锌纳米膜由六边纤锌矿晶相的氧化锌纳米线构成;
所述叉指电极的两组电极不导通,形成所述紫外光敏传感器的信号输出端。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米膜是由六边纤锌矿晶相的氧化锌纳米线平行构成的氧化锌纳米膜。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米线是其中掺杂有氧化银的氧化锌纳米线。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米膜是由煅烧静电纺丝获得的聚乙烯类聚合物-锌盐纤维膜制成的氧化锌纳米线膜。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米膜是由煅烧静电纺丝获得的聚乙烯类聚合物-锌盐-银盐纤维膜制成的氧化锌纳米线膜。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述锌盐是醋酸锌、硝酸锌、草酸锌或它们的水合物;所述聚乙烯类聚合物是聚乙烯醇PVA或聚乙烯吡咯烷酮PVP;所述银盐是醋酸银、硝酸银或草酸银。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米线的直径为200-300nm。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述氧化锌纳米膜的厚 度为500nm-1μm。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,以每根构成氧化锌纳米膜的氧化锌纳米线为轴进一步生长有氧化锌纳米柱,构成氧化锌纳米柱阵列,形成带有氧化锌纳米柱的氧化锌纳米膜,所述氧化锌纳米柱是(002)面优势取向的六角柱。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述六角柱横截面最大长度为200-300nm,六角柱高度为2-3μm。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述带有氧化锌纳米柱的氧化锌纳米膜的厚度为5-8μm。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,每立方微米氧化锌纳米膜平均由2-3根氧化锌纳米线构成,氧化锌纳米柱彼此交缠。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述叉指电极是由在基板上沉积或涂布金、铟锡金属氧化物、银、铜或铝形成的叉指电极。
前述的基于氧化锌纳米结构的紫外光敏传感器,所述基板是硅、玻璃或有机玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的