[实用新型]一种发光二极管结构有效
| 申请号： | 201320644022.2 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN203589066U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;林志伟;李涛;彭绍文 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及电流扩展层；第二电极形成于电流扩展层之上；DBR反射层中的低折射率层被局部氧化，且各低折射率层的氧化深度在DBR反射层的法向上由下而上渐变或者周期性变化。本实用新型氧化层氧化深度渐变或者周期性变化使射入DBR的光线发生弯曲，从而增加DBR的反射角度，提高DBR的反射率，使芯片的亮度得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及电流扩展层；第二电极形成于电流扩展层之上；其特征在于：DBR反射层中的低折射率层被局部氧化，且各低折射率层的氧化深度在DBR反射层的法向上由下而上渐变或者周期性变化。
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