[实用新型]一种倒置MOCVD反应炉

摘要

一种倒置MOCVD反应炉属于半导体外延生长设备领域，包括炉体、固定在炉体内的排气罩基座和固定在炉体顶部的炉盖，在炉体侧壁上开有开口，开口上固定有插板阀，炉体内部通过转轴连接有石墨基盘，排气罩基座固定在外延片基盘外侧且通过升降汽缸与炉体底部连接到一起。本技术方案中，反应室内的压强大于石墨基盘内的压强，通过压强差将衬底紧紧的压在石墨基盘的相应位置。石墨基盘的旋转消除了气流场的不均匀性和热场的不均匀性，使外延生长更加均匀。外延生长面向下，Ⅲ族源和Ⅴ族源在反应室内反应生成的化合物晶体就不会落在外延生长面上，彻底解决了颗粒缺陷外延片问题。

主权项

一种倒置MOCVD反应炉，其特征在于：包括炉筒，炉筒侧面有开口，插板阀与开口处矩形法兰相连接；炉筒上方与炉盖相连接，第二磁流体、石墨护罩以及第一磁流体支架与炉盖相连接，第一磁流体固定在第一磁流体支架上，负压排气口与第一磁流体连接，负压排气口在炉筒上方；同步带轮固定在第二磁流体上，第二磁流体下方连接有石墨基盘，石墨基盘的下表面载有衬底；炉筒的下方与炉底相连接，排气口、焊接式波纹管、支架、MO源进气部件、水冷电极及气缸与炉底相连接，焊接式波纹管上方与排气罩基座连接，排气罩基座与排气罩连接；支架上方与钼隔热板连接，钼隔热板上面是钨隔热板，钨隔热板上面放有加热器支架，加热器支架上方固定加热器，加热器上方有一片石英护板；水冷电极上方与石墨电极连接，石墨电极与加热器连接；气缸的上方与排气罩基座连接，气缸带动排气罩基座上下动作。