[实用新型]一种晶体硅太阳电池背面电极结构有效
申请号: | 201320537009.7 | 申请日: | 2013-08-31 |
公开(公告)号: | CN203491270U | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 李钢;徐振华;杨晓君 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
地址: | 250103 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳电池背面电极结构,背面电极由两条以上主栅线和网状背场组成。这种结构专门针对背钝化电池进行开发,主栅线可以为连续或者分段,网状背场纵横交错,覆盖背钝化开槽或开孔处。该实用新型可以降低铝浆成本,对改善铝浆附着力也有很好的改善。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 背面 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池背面电极结构,在晶体硅太阳电池背面设置有钝化层,在钝化层表面设置晶体硅太阳电池背面电极,钝化层上开有孔或槽,其特征在于,晶体硅太阳电池背面电极由主栅线和网状背场组成,网状背场包括与主栅线平行的平行线,以及与主栅线垂直的垂直线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的