[实用新型]掩膜板有效

申请号：	201320526670.8	申请日：	2013-08-27
公开（公告）号：	CN203444236U	公开（公告）日：	2014-02-19
发明（设计）人：	宋萍;陆相晚	申请（专利权）人：	合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	G03F1/20	分类号：	G03F1/20
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	王莹
地址：	230011 安徽***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。
搜索关键词：	掩膜板
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【主权项】：

一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。

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微纳米阵列结构、其制备方法和制备其用的掩模阵列-201510472382.2
发明人：陈东学;刘前 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明提供一种用于在基底上制备微纳米阵列结构的掩模阵列，以及用所述掩模阵列制备得到的微纳米阵列结构。所述掩模阵列由掩模单元阵列组成；所述掩模单元包括底面和向上翘起的侧面，所述底面平铺在基底上。本发明提供的掩模阵列，克服了传统掩模在干法蚀刻中易产生变形、缺陷和收缩等掩模损伤，从而导致掩模形状转移到基底时存在边壁效应，如：畸变、侧壁条纹和柱体陡直度减小等不足，本发明的悬空掩模不受材料和形状限制；同时，本发明的陡直的表面光滑柱体也不受材料和形状的限制；本发明工艺流程简单、加工方便，价格相对便宜。

在衬底上形成期望的图案的方法-201480049625.5
发明人： B·霍尔斯特 -专利权人：卑尔根技术交易股份公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明涉及在衬底上形成期望的图案的方法，所述方法包括步骤：a)产生原子束或分子束，尤其是He原子束；b)提供具有期望图案，例如在所述衬底上期望的图案的傅里叶变换的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底，据此通过与穿透掩模的部分所述原子束或分子束相互作用，在所述衬底上形成图案，所述图案基于掩模的图案，其中所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。本发明的方法对于制备导电电路结构(微芯片)或微机电系统(MEMS)或微米/纳米射流结构或一般纳米结构的表面(即，疏水或亲水的表面或反射/抗反射表面)是有用的。

掩膜板-201320526670.8
发明人：宋萍;陆相晚 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

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