[实用新型]薄膜晶体管制备系统以及薄膜晶体管、阵列基板有效
| 申请号： | 201320433465.7 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN203521409U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 魏小丹;杨晓峰;张同局;倪水滨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管，包括：源漏电极图形、掺杂半导体层图形、半导体层图形、栅极图形和栅绝缘层图形；所述栅极图形上设有所述栅绝缘层图形，所述栅绝缘层图形上设有所述半导体层图形，所述半导体层图形上设有所述掺杂半导体层图形，所述掺杂半导体层图形上设有所述源漏电极图形。本实用新型提供还一种薄膜晶体管制备系统，所述系统应用于对待加工件进行加工以制备薄膜晶体管；所述系统包括：镀膜装置、光刻胶涂覆装置、湿刻装置、干刻装置、灰化装置、烘箱和机械臂。本实用新型提供的薄膜晶体管制备系统制备的薄膜晶体管内没有钻蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 系统 以及 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：源漏电极图形、掺杂半导体层图形、半导体层图形、栅极图形和栅绝缘层图形； 所述栅极图形上设有所述栅绝缘层图形，所述栅绝缘层图形上设有所述半导体层图形，所述半导体层图形上设有所述掺杂半导体层图形，所述掺杂半导体层图形上设有所述源漏电极图形； 其中所述源漏电极图形的第一侧面与底面的坡度角小于90°，且所述源漏电极图形的第二侧面与底面的坡度角小于90°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
