[实用新型]晶圆分区吸附结构有效
申请号: | 201320412803.9 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN203367259U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型为一种晶圆分区吸附结构,用于吸附晶圆以进行贴片操作,其包含一真空吸盘与一底板,其中该真空吸盘的一侧具有一吸附面,该真空吸盘的另一侧设置有多个分区层,该吸附面设置有贯穿该真空吸盘的多个真空孔,且该多个真空孔通过该多个分区层的分区隔离形成至少两个吸气分区,且该底板覆盖该真空吸盘的具有该多个分区层的一侧并具有对应该至少两个吸气分区的至少两个真空源入口,该至少两个吸气分区可以单独通过对应的真空源入口进行抽气,而各自提供吸附晶圆所需的吸力,据此可以通过该至少两个吸气分区的分区吸气而适用各种尺寸的晶圆以及残缺的晶圆破片,可满足使用上的需求。 | ||
搜索关键词: | 分区 吸附 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆分区吸附结构,其特征在于,所述晶圆分区吸附结构包含:一真空吸盘,所述真空吸盘的一侧具有一吸附面,所述真空吸盘的另一侧设置有多个分区层,所述吸附面上设置有贯穿所述真空吸盘的多个真空孔,且所述多个真空孔通过所述多个分区层的分区隔离形成至少两个吸气分区;一底板,所述底板覆盖所述真空吸盘的具有所述多个分区层的一侧,并且所述底板具有对应所述至少两个吸气分区的至少两个真空源入口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造