[实用新型]一种用于晶硅太阳能电池背抛光的碱槽结构有效
申请号: | 201320401187.7 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN203312350U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 李茂林;涂宏波;王学林;刘自龙;李仙德;陈康平;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种用于晶硅太阳能电池背抛光的碱槽结构,其包括浸泡区和喷淋区,浸泡区上部为浸泡区上槽体,下部设有浸泡区下槽体,喷淋区上部为喷淋区上槽体,下部设有喷淋区下槽体,喷淋区上槽体上部设有喷淋碱刀,浸泡区的两端设有碱液回流槽;在碱液回流槽与浸泡区下槽体之间、喷淋区上槽体与喷淋区下槽体之间都设有液流通道;在浸泡区和喷淋区都设有液体输送泵;浸泡区上槽体、喷淋区上槽体和碱液回流槽的上部均设有辊轮;碱液回流槽还设有风刀。本实用新型利用该碱槽能够在不影响硅片正面的情况下,实现太阳能电池生产中背抛光的目标,操作简单,效果优越。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 抛光 结构 | ||
【主权项】:
一种用于晶硅太阳能电池背抛光的碱槽结构,其特征在于,包括浸泡区和喷淋区,所述浸泡区上部为浸泡区上槽体,下部设有浸泡区下槽体,所述喷淋区上部为喷淋区上槽体,下部设有喷淋区下槽体,所述喷淋区上槽体上部设有喷淋碱刀,所述浸泡区的两端设有碱液回流槽;所述碱液回流槽与浸泡区下槽体之间设有液流通道,所述喷淋区上槽体与喷淋区下槽体之间设有液流通道;所述浸泡区设有用于将浸泡区下槽体的液体输送到浸泡区上槽体的液体输送泵;所述喷淋区设有用于将喷淋区下槽体的液体输送到喷淋区喷淋碱刀的液体输送泵;所述浸泡区上槽体、喷淋区上槽体和碱液回流槽的上部均设有辊轮;所述碱液回流槽还设有风刀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司,未经浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320401187.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管封装件
- 下一篇:一种太阳能硅针孔片补孔装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的