[实用新型]增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片

摘要

本实用新型的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，基体的单晶硅层包含狭缝光波导，狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域，光栅FP腔的光栅为外延型光栅，位于长方形基体外侧，为外凸型齿状光栅。本实用新型的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。

主权项

增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，所述狭缝光波导为增强型狭缝光波导，所述增强型狭缝光波导包括中心狭缝槽和增强狭缝槽，中心狭缝槽位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等，增强狭缝槽对称分布与中心狭缝槽两边，方向与中心狭缝槽一致，所述增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域，所述光栅FP腔的光栅为外延型光栅，位于长方形基体外侧，为外凸型齿状光栅。