[实用新型]一种兼容存储多种不同速度数据的电子存储器有效

专利信息
申请号: 201320229188.8 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN203242348U 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 李宝;刘志轩;罗振贵;李箭;翟慧娟;张思前 申请(专利权)人: 北京航天长征飞行器研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 范晓毅
地址: 100076 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种兼容存储多种不同速度数据的电子存储器,该存储器基于FPGA实现,FPGA包括数据选择控制单元、接口控制单元和Flash存储芯片控制单元,其中接口控制单元包括接口时钟频率控制模块和接口芯片控制模块,Flash存储芯片控制单元包括输入缓存、Flash存储芯片、输出缓存和Flash控制器,其中数据选择控制单元、接口时钟频率控制模块、接口芯片控制模块、输入缓存、Flash存储芯片、输出缓存依次连接,Flash控制器分别与输入缓存、Flash存储芯片和输出缓存连接,该电子存储器可以兼容存储多种不同速度数据,且结构简单,兼容性高,并大大节约成本,具有很强的实用性。
搜索关键词: 一种 兼容 存储 多种 不同 速度 数据 电子 存储器
【主权项】:
一种兼容存储多种不同速度数据的电子存储器,其特征在于:基于FPGA实现,FPGA包括数据选择控制单元、接口控制单元和Flash存储芯片控制单元,其中接口控制单元包括接口时钟频率控制模块和接口芯片控制模块,Flash存储芯片控制单元包括输入缓存、Flash存储芯片、输出缓存和Flash控制器,具体连接关系为:数据选择控制单元连接接口时钟频率控制模块,接口时钟频率控制模块连接接口芯片控制模块,接口芯片控制模块连接输入缓存,输入缓存连接Flash存储芯片,Flash存储芯片连接输出缓存,此外Flash控制器分别与输入缓存、Flash存储芯片和输出缓存连接;数据选择控制单元:由外部硬件使能开关控制,选择接收不同数据速度的导引头数据,并将所述导引头数据输出给接口时钟频率控制模块;接口时钟频率控制模块:接收数据选择控制单元输入的导引头数据,并根据所述导引头数据的速度选择相应的时钟频率,并将所述时钟频率与导引头数据输出给接口芯片控制模块;接口芯片控制模块:根据接收的时钟频率控制接口芯片接收数据的速度,使接口芯片接收数据的速度与接收的导引头数据的速度相匹配,同时将接收的导引头数据输出给输入缓存;输入缓存:将接口芯片控制模块输入的导引头数据进行存储,并选择相应的时钟频率,使所述时钟频率与接口芯片接收的数据速度相匹配;Flash控制器:将输入缓存中的数据存储至Flash存储芯片中,当需要从Flash存储芯片中读取数据时,将Flash存储芯片中的数据输出至输出缓存中,通过输出缓存输出至上位机;输出缓存:将Flash存储芯片输出的数据进行存储。
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