[实用新型]五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路有效

专利信息
申请号: 201320191782.2 申请日: 2013-04-16
公开(公告)号: CN203217068U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 任嘉;粟慧;张永忠;罗迎社;陈胜铭;粟建新 申请(专利权)人: 中南林业科技大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410004 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路,采用基于功率MOSFET管的脉冲产生电路,功率MOSFET管采用IRF7106芯片;IRF7106芯片的5-8脚短接后通过第一电容(C83)与磁传感器中的脉冲极化电路相接;IRF7106芯片的2脚(G1)接复位端(reset8);单片机的另一个IO端口作为置位端(set8)。本电路结构简单,易于实施,能有效消除磁滞效应,提高磁场测量的准确度。
搜索关键词: 五点 三维 磁场 测量 装置 效应 消除 电路
【主权项】:
一种五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路,其特征在于,采用基于功率MOSFET管的脉冲产生电路,功率MOSFET管采用IRF7106芯片;IRF7106芯片的5‑8脚短接后通过第一电容(C83)与磁传感器中的脉冲极化电路相接;IRF7106芯片的1脚和3脚分别接地和直流电源正端VCC1;IRF7106芯片的2脚(G1)接复位端(reset8);复位端(reset8)为单片机的一个IO端口;单片机的另一个IO端口作为置位端(set8),置位端(set8)通过第一电阻(R81)接NPN型的三极管(Q18)的基极;三极管(Q18)的射极接地,三极管(Q18)的集电极通过第二电阻(R82)接VCC1;三极管(Q18)的集电极还通过第二电容(C81)接IRF7106芯片的4脚(G2端);IRF7106芯片的4脚与VCC1之间接有第三电阻(R83);VCC1与地之间接有第三电容(C82)。
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