[实用新型]二象限光电二极管有效
申请号: | 201320153256.7 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN203250738U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 但伟;王波;向勇军;凌茂真;孙诗;王昊璇;张臻凌;郭林红;周红;钟奇志 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/105 |
代理公司: | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人: | 龚笋根 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型涉及电子元器件技术领域,具体公开了一种二象限光电二极管,其包括管座、与管座固定安装的芯片及二极管引线,所述芯片上设有两个PIN光电探测器;该每一PIN光电探测器均包括一本征硅衬底层、设于本征硅衬底层正面的光敏区,及设于本征硅衬底层背面的欧姆接触层;所述光敏区正面及欧姆接触层背面均设有金属电极,二极管引线分别与其对应的金属电极电性连接。本实用新型可以广泛适用于光纤通信、测距、传感以及从可见光至近红外领域的光脉冲检测和工业控制领域,尤其适用于激光陀螺的光电接收转换,其具有较为优良的技术参数,响应速度和响应度均较高。 | ||
搜索关键词: | 象限 光电二极管 | ||
【主权项】:
一种二象限光电二极管,包括管座、与管座固定安装的芯片及二极管引线,其特征在于,所述芯片上设有两个PIN光电探测器;该每一PIN光电探测器均包括一本征硅衬底层、设于本征硅衬底层正面的光敏区,及设于本征硅衬底层背面的欧姆接触层;所述光敏区正面及欧姆接触层背面均设有金属电极,二极管引线分别与其对应的金属电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的