[实用新型]一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置有效
申请号: | 201320149157.1 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN203134749U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 赵吾阳;蒋冬华;倪水滨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/04 | 分类号: | H01J37/04;H01J37/30 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及干刻蚀技术领域,特别涉及一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置,用于提高基板刻蚀的合格率。本实用新型公开了一种干刻蚀装置的下部电极,包括:电极基底,设置于所述电极基底上的陶瓷层,且所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔,以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。采用本实用新型提供的下部电极对基板进行刻蚀时,基板中部与陶瓷层上表面接触,基板边缘由凸台支撑,如此设置,可以提高刻蚀的均一性,从而提高基板刻蚀的合格率。本实用新型同时还公开了一种干刻蚀装置,包括具有上述特征的干刻蚀装置的下部电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 下部 电极 | ||
【主权项】:
一种干刻蚀装置的下部电极,其特征在于,包括:电极基底和设置于所述电极基底上的陶瓷层;其中,所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔,以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。
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