[发明专利]一种用于PECVD系统的匀气装置有效
申请号: | 201310751477.9 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103774120A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 刘键;刘杰 | 申请(专利权)人: | 刘键 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种用于PECVD系统的匀气装置。所述匀气装置包括设置在基片台的下方的第一匀气盘,第一匀气盘为圆盘状结构,第一匀气盘的外缘与腔室的内壁紧密贴合;第一匀气盘的中间设有通气孔,基片台的支撑杆位于通气孔中,通气孔的直径大于支撑杆的直径。本发明提供的匀气装置中的第一匀气盘设置在基片台的下方,气体从第一匀气盘与支撑杆之间的空隙流向出气口,这对下半部分腔室中气流起到很好的控制作用,从而使整个腔室中气流分布更均匀,保证沉积薄膜均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 系统 装置 | ||
【主权项】:
一种用于PECVD系统的匀气装置,所述PECVD系统的腔室内设有基片台及用于支撑所述基片台的支撑杆,其特征在于:所述匀气装置包括设置在所述基片台的下方的第一匀气盘,所述第一匀气盘为圆盘状结构,所述第一匀气盘的外缘与所述腔室的内壁紧密贴合;所述第一匀气盘的中间设有通气孔,所述支撑杆位于所述通气孔中,所述通气孔的直径大于所述支撑杆的直径。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的