[发明专利]一种利用受限光催化氧化改性ITO的方法及其应用有效
| 申请号： | 201310744123.1 | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103713473A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨鹏;穆小燕 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用受限光催化氧化改性ITO的方法及其应用。该方法是直接在ITO表面滴加质量分数为20%～40%的过硫酸铵水溶液，然后覆盖光掩模，在紫外光下照射，即可得到改性的ITO。以改性的TO作为分子模板，采用低温液相沉积的方可以快速、简单、高效的制备成无机半导体二氧化钛、氧化锌、钛酸钡阵列，采用简单的旋涂法或浸涂法可以快速、简单、高效的制备成硫化镉、磷脂膜、聚苯乙烯微球、导电聚合物薄膜、液晶阵列，为电子产业发展奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 受限 光催化 氧化 改性 ito 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种利用受限光催化氧化改性ITO的方法，其特征在于：在ITO表面滴加质量分数为20%～40%的过硫酸铵水溶液，覆盖光掩模，在紫外光下照射，得到改性的ITO。
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