[发明专利]一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法无效
| 申请号： | 201310714934.7 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103693651A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周振;李桂华;华芳;林峰 | 申请（专利权）人： | 南昌印钞有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330030 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法，在自行设计的冷等离子弧装置中，在大气环境下以六甲基二硅氧烷为单体，CF4为携带气体，在等离子体放电区域内，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到离解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合Si-O-Si前驱物，最终沉积在载体上形成致密的SiOx粉体。本发明的优点是：（1）只需在大气压条件下完成，不需要低压或高压条件；（2）设备结构简单，投资小，制备过程简单可行；（3）制备的SiOx粉体纯度高、结构致密，达到纳米级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大气 压下 等离子 制备 siox 疏水 方法 | ||
【主权项】：
一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法，其特征方法是：在自行设计的冷等离子弧装置中，在大气环境下以六甲基二硅氧烷为单体，CF4为携带气体，在等离子体放电区域内，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到离解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合 Si‑O‑Si 前驱物，最终沉积在载体上形成致密的SiOx粉体。
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