[发明专利]用于检测晶圆的比对座标的方法在审
| 申请号： | 201310703377.9 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733335A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 江宜勇;林裕超;罗文期;林照晃;蓝于凯 | 申请（专利权）人： | 致茂电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于检测晶圆的比对座标的方法，包含下列步骤：取得对应晶圆的多个光罩晶粒的座标。利用光罩晶粒的座标计算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多个第一距离。根据扫瞄晶圆的位置数据，找到多个空白晶粒。根据第一距离比对空白晶粒与光罩晶粒，以得到多个比对符合次数。当比对符合次数的最高者产生时，利用光罩晶粒的座标取得空白晶粒的座标。计算空白晶粒的一者的座标与参考座标间的第二距离。根据第二距离调整参考座标以对应这些光罩晶粒的座标。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 座标 方法 | ||
【主权项】：
一种用于检测晶圆的比对座标的方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)取得对应一晶圆的多个光罩晶粒的座标；(b)利用所述光罩晶粒的座标计算所述光罩晶粒任一者到其他所述光罩晶粒的多个第一距离；(c)根据扫瞄该晶圆的位置数据，找到多个空白晶粒；(d)根据所述第一距离比对所述空白晶粒与所述光罩晶粒，以得到多个比对符合次数；(e)当所述比对符合次数的最高者产生时，利用所述光罩晶粒的座标取得所述空白晶粒的座标；(f)计算所述空白晶粒的一者的座标与一参考座标间的一第二距离；以及(g)根据该第二距离调整该参考座标以符合所述光罩晶粒的座标。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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