[发明专利]一种纳米二氧化硅掺杂正极材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米二氧化硅掺杂正极材料的制备方法，1）C/S复合材料的制备；2）纳米二氧化硅的准备；3）纳米二氧化硅的C/S掺杂。本发明所采用的高温固相方法，使用碳硫复合材料的掺杂，利用碳硫之间的空隙更好融入提高电导率，其循环性能有所改善。

主权项

一种纳米二氧化硅掺杂正极材料的制备方法，其特征在于：1）C/S复合材料的制备将活性炭和单质硫按1:1的质量比在球磨机中研磨均匀后，放入真空干燥箱中，冲入氩气约20min，排除里面的空气，然后再流动的氮气气氛下，把活性炭与单质硫混合物加热到155℃，在此温度下保持10h，然后将温度升高到250℃，在此温度下保持3h，得到黑色C/S复合材料；2）纳米二氧化硅的准备将纳米二氧化硅溶解于去离子水中，加入少量氨水，再将溶液转移至反应釜中，在180℃的环境下恒温反应12h左右，自然冷却到室温时候，将反应釜中的产物分别用去离子水、无水乙醇离心洗涤三次，在真空干燥，得到需要符合的二氧化硅产物；3）纳米二氧化硅的C/S掺杂将步骤1）中制得的黑色C/S复合材料与步骤2）制得的纳米二氧化硅用超声波超声混合，直至形成均一的状态后，转入反应釜中，180℃恒温8h左右，待完全反应后，自然冷却到室温时候，得到黑色物质，对黑色物质分别用去离子水、无水乙醇离心洗涤三次，除去未能参与反应的杂质，在真空干燥，得到复合产物，继续用球磨机球磨10h，得到纳米二氧化硅的C/S掺杂正极材料。