[发明专利]电流复用低噪声放大器在审
| 申请号： | 201310698455.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104734642A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 戴若凡;朱红卫 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流复用低噪声放大器，包括三级级联的放大电路。第一级放大电路的第一NMOS管的源极通过第一电感接地、栅极通过第二电感和第一电容连接射频输入信号之间,漏极连接第三电感。第二级放大电路的第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极通过第四电感接地、漏极通过第五电感连接电源电压。第三级放大电路的第三NMOS管的源极通过第六电感和第三电感连接，第三NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极，第三NMOS管的漏极和电源电压之间连接有第七电感，第三NMOS管的漏极通过第三电容输出射频输出信号。本发明能提高增益、降低功耗，具有良好的噪声系数，能应用于X波段。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种电流复用低噪声放大器，其特征在于：电流复用低噪声放大器包括：级联的第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路；所述第一级放大电路为输入级放大电路，所述第三级放大电路为输出级放大电路，所述第二级放大电路为所述第一级放大电路和所述第二级放大电路之间的射频信号的耦合和放大电路；所述第一级放大电路包括由第一NMOS管形成的源简并电感共源放大器，所述第一NMOS管的源极通过第一电感接地，所述第一电感为所述第一NMOS管的源简并电感；所述第一NMOS管的栅极和第二电感的第一端连接，第一电容连接所述第二电感的第二端和射频输入信号之间，第一电阻连接在所述第二电感的第二端和电源电压之间；第三电感的第一端连接所述第一NMOS管的漏极，第二电容连接在所述第三电感的第二端和地之间；所述第二级放大电路包括由第二NMOS管形成的源简并电感共源放大器，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极通过第四电感接地，所述第四电感为所述第二NMOS管的源简并电感；所述第二NMOS管的漏极通过第五电感连接电源电压；所述第三级放大电路包括共源连接的第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极通过第六电感和所述第三电感的第二端连接，所述第三NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的漏极和电源电压之间连接有第七电感，第三电容的第一端连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三电容的第二端输出射频输出信号。
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