[发明专利]远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统有效
申请号: | 201310688648.8 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103695868A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 陈龙威;左潇;魏钰;孟月东;王祥科 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/54 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统,包括有沉积腔,沉积腔分为等离子体发生区、材料表面处理区,沉积腔的顶端和两侧分别设有一块永磁铁,沉积腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导,沉积腔的材料表面处理区中设有基片台,沉积腔的底部设有真空机组;在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下,使用同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体,所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜。本发明能实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜的大尺寸均匀沉积,通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积,易于实现工业化连续生产。 | ||
搜索关键词: | 远程 磁镜 约束 线形 等离子体 增强 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统,其特征在于:包括有凸字形的沉积腔,沉积腔分为上、下两部分区域,分别为等离子体发生区、材料表面处理区,沉积腔的顶端设有第一永磁铁,沉积腔的等离子体发生区的两侧分别设有第二、第三永磁铁,第一永磁铁的磁化方向与第二、第三永磁铁的磁化方向相反,沉积腔上设有通向等离子体发生区中的与气源连接的上进气管、下进气管,上进气管、下进气管之间设有贯穿整个等离子体发生区的与同轴微波源相连接的同轴圆波导,沉积腔的材料表面处理区中设有基片台,沉积腔的材料表面处理区的左、右两侧壁上分别设有观察窗口、长方形沉积腔体门,沉积腔的底部设有真空机组;所述的第一、二、三永磁铁组成呈门字形排列的永磁铁组,在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下,使用与同轴微波源相连接的同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体,所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的