[发明专利]远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统有效

专利信息
申请号: 201310688648.8 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103695868A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 陈龙威;左潇;魏钰;孟月东;王祥科 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/54
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统,包括有沉积腔,沉积腔分为等离子体发生区、材料表面处理区,沉积腔的顶端和两侧分别设有一块永磁铁,沉积腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导,沉积腔的材料表面处理区中设有基片台,沉积腔的底部设有真空机组;在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下,使用同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体,所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜。本发明能实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜的大尺寸均匀沉积,通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积,易于实现工业化连续生产。
搜索关键词: 远程 磁镜 约束 线形 等离子体 增强 化学 沉积 系统
【主权项】:
一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统,其特征在于:包括有凸字形的沉积腔,沉积腔分为上、下两部分区域,分别为等离子体发生区、材料表面处理区,沉积腔的顶端设有第一永磁铁,沉积腔的等离子体发生区的两侧分别设有第二、第三永磁铁,第一永磁铁的磁化方向与第二、第三永磁铁的磁化方向相反,沉积腔上设有通向等离子体发生区中的与气源连接的上进气管、下进气管,上进气管、下进气管之间设有贯穿整个等离子体发生区的与同轴微波源相连接的同轴圆波导,沉积腔的材料表面处理区中设有基片台,沉积腔的材料表面处理区的左、右两侧壁上分别设有观察窗口、长方形沉积腔体门,沉积腔的底部设有真空机组;所述的第一、二、三永磁铁组成呈门字形排列的永磁铁组,在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下,使用与同轴微波源相连接的同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体,所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜。
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