[发明专利]一种易于粗化的红光LED芯片结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310633836.0 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN104681680B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 张新;李强;吴德华;于军 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 吕利敏
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种易于粗化的红光LED芯片结构,包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层,AlGaAs/AlAs DBR,AlInP N限制层,AlGaInP N波导层,MQW量子阱有源层,AlGaInPP波导层,AlInP P限制层,GaP窗口层和GaAsP/GaAs粗化层。根据GaAs的化学性质,通过控制原材料,用三种不同的方式,覆盖一层易于腐蚀的GaAs外延结构,在既不破坏外延片基本结构,不影响内外量子效率的基础上,对后期管芯工艺减轻工作难度,比起普通的管芯粗化工艺来说,节省了一半左右的成本,并减少了高强度腐蚀对产品的影响,通过对外延生长GaP表面的生长处理,光效提高30%以上。
搜索关键词: 粗化 红光LED芯片 波导层 限制层 量子阱有源层 内外量子效率 工作难度 管芯工艺 强度腐蚀 外延结构 依次设置 生长 窗口层 粗化层 外延片 衬底 管芯 光效 制备 腐蚀 覆盖
【主权项】:
1.一种易于粗化的红光LED芯片结构,其特征在于,该芯片结构包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层,AlGaAs/AlAs DBR,AlInP N限制层,AlGaInP N波导层,MQW量子阱有源层,AlGaInP P波导层,AlInP P限制层,GaP窗口层和GaAsP/GaAs粗化层;所述GaAsP/GaAs粗化层包括过渡生长的GaAsP层和GaAs层,其中GaAsP层的厚度为0.5‑1μm,GaAs层的厚度为0.2‑1μm。
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