[发明专利]具有相同鳍型场效晶体管栅极高度的结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种用于制造多个鳍型FET半导体器件的方法，该方法包括：提供由半导体基板蚀刻成并由氧化物层和氮化物层覆盖的多个鳍，氧化物层设置在多个鳍和氮化物层之间；去除多个鳍的一部分以形成开口；以及在开口的侧壁上形成电介质间隔壁。该方法还可包括用填充材料填充开口，其中填充材料的顶表面与氮化物层的顶表面实质上齐平；去除氮化物层以在多个鳍和填充材料之间形成间隙，其中填充材料具有在间隙之上延伸的凹形几何形状；以及去除凹形几何形状且使多个鳍和填充材料之间的间隙加大。

主权项

一种方法，包括：提供由半导体基板蚀刻成并由氧化物层和氮化物层覆盖的多个鳍，该氧化物层设置在所述多个鳍和所述氮化物层之间；去除所述多个鳍的一部分以形成开口；在所述开口的侧壁上形成电介质间隔壁；用填充材料填充所述开口，其中所述填充材料的顶表面与所述氮化物层的顶表面实质上齐平；去除所述氮化物层以在所述多个鳍和所述填充材料之间形成间隙，其中所述填充材料具有在所述间隙之上延伸的凹形几何形状；以及去除所述凹形几何形状且使所述多个鳍和所述填充材料之间的所述间隙加大。