[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310597112.5 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103560110A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，节约成本。该方法包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括像素电极的图案层、栅电极、栅线的图案层；在形成有包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层；其中，在像素电极上方形成露出像素电极的第一过孔；在形成有刻蚀阻挡层的基板上，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和数据线的图案层；其中，源电极和漏电极均与金属氧化物半导体有源层接触，漏电极与像素电极通过第一过孔电连接。用于制备阵列基板、显示装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括像素电极的图案层、以及包括栅电极、栅线的图案层；在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层；其中，在所述像素电极上方形成露出所述像素电极的第一过孔；在形成有所述刻蚀阻挡层的基板上，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和数据线的图案层；其中，所述源电极和所述漏电极均与所述金属氧化物半导体有源层接触，所述漏电极与所述像素电极通过所述第一过孔电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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