[发明专利]包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元有效
| 申请号： | 201310594047.0 | 申请日： | 2009-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103594424A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李霞;升·H·康;朱晓春 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/22;G11C11/56;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元。所述MTJ单元包括多个垂直侧壁。所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴。所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。在一实施例中，所述MTJ单元包含位于电极层(110、112、114、116)与中心电极(108)之间的固定磁性层(102)、隧道结层(104)及自由磁性层(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 垂直 磁性 隧道 单元 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结MTJ单元，其包含：侧壁，其界定适于存储第一数字值的第一磁畴；以及底壁，其耦合到所述侧壁并且界定适于存储第二数字值的第二磁畴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
