[发明专利]一种电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺

摘要

本发明涉及气体分离净化工程领域，在电子级多晶硅生产中对回收氢气的净化，采用活性炭吸附，但氢气中的BCl3、硼烷、磷烷、PCl5、POCl3等杂质含量无法有效降低，影响了电子级多晶硅的生产，本发明提供的净化方案包括将回收氢气预冷，再冷，使氢气温度降到0℃以下，然后进入改性氧化铝吸附器进行吸附杂质，再经过滤器过过滤，使氢气纯度达到99.999%（V/V），达到生产电子级多晶硅的需要，本发明还具有工艺简单，易于操作，净化效果明显等有益效果。

主权项

一种电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺，其特征为净化处理工艺如下：（1）将低温淋洗吸收、换热后的含有微量氯化氢、氯硅烷及痕量BCl3、硼烷、磷烷、PCl5、POCl3等杂质的回收氢气通入回收氢气预冷器管程进行预冷，冷却后的回收氢气温度为25℃以下，压力为0.8MpaG以上；（2）经预冷后的回收氢气进入回收氢气冷却器管程，进行再冷，再冷后的回收氢气温度为0℃以下，压力为0.8MpaG以上；（3）经再冷后的回收氢气进入吸附器，对杂质进行吸附，吸附温度为20℃以下，压力为0.8MpaG；（4）经吸附后的回收氢气进入回收氢气预冷器壳程，对管程中未吸附的回收氢气降温；（5）从预冷器壳程出来的回收氢气进入回收氢气过滤器进行过滤；（6）经过滤器过滤的回收氢气，纯度为99.999%（V/V），作为产品使用于多晶硅生产工艺。