[发明专利]一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括：A、交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、直流电源溅射不锈钢平面靶，在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；F、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Si层上磁控溅射NiCr层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、交流电源溅射硅铝旋转靶，在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。本发明的目的提供一种工艺简单，生产成本相对较低的可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。

主权项

一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。