[发明专利]一种KDP类晶体锥面定向生长方法

摘要

本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种KDP类晶体锥面定向生长方法，先将KH2PO4原料和二次蒸馏水配制成生长溶液，再用KOH溶液调节生长溶液的pH值为4.0；然后对生长溶液进行过滤并进行过热处理后将KDP籽晶固定在籽晶架的中央；KDP籽晶在过饱和温度下放入育晶玻璃缸中，KDP籽晶微溶后在育晶玻璃缸中恒温生长1天，KDP籽晶恢复外形；KDP籽晶在籽晶架的限制下片状生长得到锥面定向生长的KDP晶体；其生长方法简便，使用的装置结构简单，操作方便，减小对溶液的扰动，节省晶体生长原料，减小成锥区域，降低加工难度，提高晶体利用率，增加晶体生长过程中溶液的稳定性。

主权项

一种KDP类晶体锥面定向生长方法，其特征在于在KDP类晶体锥面定向生长装置中实现，其工艺过程是：先将分析纯的KH2PO4原料和二次蒸馏水配制成重量百分比浓度为30‑35%的生长溶液，再用分析纯KOH溶液调节生长溶液的pH值为4.0，有效抑制晶体柱面的生长，从而得到高质量的锥面晶体；然后分别使用市售的0.45μm和0.22μm滤膜对生长溶液进行过滤并进行过热处理24h后将沿锥面定向切割的KDP籽晶固定在籽晶架的中央；液封中的液体将育晶玻璃缸与外界隔绝，减少籽晶架与液封之间的摩擦；KDP籽晶在过饱和温度下放入育晶玻璃缸中，KDP籽晶微溶后在育晶玻璃缸中恒温生长1天，KDP籽晶恢复外形，有效减少KDP籽晶籽晶的遗传缺陷，使晶体能够正常生长；KDP籽晶生长过程中，电动机采用正转‑停转‑反转的轮换转动方式进行转动，转速为20r/min；温控装置根据KDP溶液在的pH=4.0时的溶解度曲线设置温控程序，降温速度为0.5‑1℃/天；KDP籽晶在籽晶架的限制下片状生长，生长速度为1mm/天，晶体生长到预定尺寸后取出，生长得到25×25×5mm3锥面定向生长的KDP晶体。