[发明专利]处理多晶硅还原尾气的方法和系统有效
| 申请号： | 201310553735.2 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103539069A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 司文学;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B3/50 | 分类号： | C01B3/50;C01B33/107;C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统，该方法包括：将多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；将经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；将经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；将经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理，以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；将包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 多晶 还原 尾气 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种处理多晶硅还原尾气的方法，其特征在于，包括：将所述多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；将所述经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；将所述经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；将所述经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理，以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂；将所述含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱吸处理，以便得到包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；将所述包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
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