[发明专利]基于磺化石墨烯/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件及其制备方法有效
申请号: | 201310553001.4 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN103594481B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 赵睿;李亮;喻湘华;张桥;吴艳光 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件及其制备方法。本发明的存储器件是由下电极、旋涂在下电极上的磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的中间电活性存储层、沉积在电活性存储层上的上电极组成。通过调控复合材料中磺化石墨烯的含量,可调控基于磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件的开启电压和开关电流比。本发明制造工艺简单,实验条件温和。 | ||
搜索关键词: | 基于 磺化 石墨 二氧 噻吩 苯乙烯 复合材料 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
基于磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的存储器件,其由下电极、旋涂在下电极上的磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的中间电活性存储层、沉积在电活性存储层上的上电极组成,所述的磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的制备方法包括有以下步骤:1)利用石墨,依次通过化学还原、磺化和还原步骤制备磺化石墨烯;2)将磺化石墨烯加入聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)水溶液中,超声分散30‑60分钟,得磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的水溶液;所述的磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为中间电活性存储层的厚度为60‑100nm;所述的磺化石墨烯在磺化石墨烯/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料中的重量比例为0.08%‑0.32%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的