[发明专利]一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池

摘要

一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池，由栅电极、透明导电层、p型化合物半导体薄膜、n型或p型晶体硅片、n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极依次组成并构成叠层结构，其中在n型或p型晶硅片的两面腐蚀有减反织构面，受光面p型或n型化合物半导体薄膜材料禁带宽度>1.7eV，p型化合物半导体薄膜的电子亲和势<3.8eV，n型化合物薄膜的电子亲和势与禁带宽度之和大于>5.5eV。本发明的优点：该太阳电池通过综合选取化合物异质结材料，降低了异质结界面处的复合，有利于太阳电池开路电压提高，能够进一步降低晶硅界面处的少子复合，改善界面载流子输运，增加光生电流，提升太阳电池的光电转换效率。

主权项

一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池，其特征在于：由栅电极、透明导电层、p型化合物半导体薄膜、n型或p型晶硅片、 n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极依次组成并构成叠层结构，其中在n型晶硅片的两面腐蚀有减反织构面，叠层结构的顺序为栅电极、透明导电层、受光面p型化合物半导体薄膜、n型晶硅片、 n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极或者是栅电极、透明导电层、受光面n型化合物半导体薄膜、p型晶硅片、 p型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极，受光面p型化合物半导体薄膜或n型化合物半导体薄膜的厚度为5‑50纳米，材料禁带宽度>1.7 eV，背光面p型化合物半导体薄膜或n型化合物半导体薄膜的厚度为5‑50纳米，p型化合物半导体薄膜的电子亲和势<3.8 eV，n型化合物薄膜的电子亲和势与禁带宽度之和大于>5.5 eV，受光面透明导电层薄膜的厚度为150‑800纳米，背光面透明导电层薄膜的厚度为150‑800纳米。