[发明专利]一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法及系统无效

专利信息
申请号: 201310544194.7 申请日: 2013-11-06
公开(公告)号: CN103553047A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 代冰;胡碧波;汪晨;徐振宇 申请(专利权)人: 苏州协鑫工业应用研究院有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/027;B01J8/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215028 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法,该反应器包括反应室和用于将气体均匀地分布到反应室中的气体分布单元,所述反应室包括至少一个反应室壁,其特征在于,所述方法包括:将第一气体经由所述气体分布单元的第一层进气口进给并输送至反应室;将第二气体经由所述气体分布单元的第二层进气口进给并输送至反应室;将第三气体经由所述气体分布单元的第三层进气口进给并输送至反应室;及,使硅粒子在反应室中与可热分解的硅化合物接触,以使硅沉积到硅粒子上并增加粒度。本发明在不影响流化床内反应空间的情况下能够降低反应器壁的硅沉积量,提高反应效率,降低制造成本。
搜索关键词: 一种 用于 反应器 生产 多晶 产品 方法 系统
【主权项】:
一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法,该反应器包括反应室和用于将气体均匀地分布到反应室中的气体分布单元,所述反应室包括至少一个反应室壁,其特征在于,所述方法包括:将第一气体经由所述气体分布单元的第一层进气口进给并输送至反应室;将第二气体经由所述气体分布单元的第二层进气口进给并输送至反应室;将第三气体经由所述气体分布单元的第三层进气口进给并输送至反应室;及,使硅粒子在反应室中与可热分解的硅化合物接触,以使硅沉积到硅粒子上并增加粒度;其中,所述第一层进气口、第二层进气口以及第三层进气口由外到内依次设置在所述气体分布单元上;所述第一气体、第二气体及第三气体由反应器均为包含氢气和可热分解的气态硅化合物的气体组合物;且第一气体、第二气体及第三气体中的氢气含量依次降低,可热分解的气态硅化合物的气体组合物依次升高。
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