[发明专利]电阻式存储装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201310538954.3 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104617218B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;黄骏扬;黄崇祐;蔡宗霖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电阻式存储装置及其制作方法，电阻式存储装置包括：一基板；一下电极，位于基板上方；一下电阻转态层，位于下电极上；一界面层，位于下电阻转态层与下电极间；一上电阻转态层，位于下电阻转态层上；及一上电极，位于上电阻转态层上。通过本发明所提供的电阻式存储装置及其制作方法，可使电阻式存储器具有较少的高电阻及低电阻状态的变动程度，可有效改善电阻式存储器的耐久度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储装置，其特征在于，所述电阻式存储装置包括：一基板；一下电极，位于该基板上方；一下电阻转态层，位于该下电极上；一界面层，位于该下电阻转态层与该下电极间，其中该界面层为氮氧化钛或氮氧化钽,且该界面层由该下电极和该下电阻转态层在一退火工艺中反应所形成；一上电阻转态层，位于该下电阻转态层上；及一上电极，位于该上电阻转态层上。
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