[发明专利]一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310533491.1 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104164680B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 程广贵;石阳阳;丁建宁;张忠强;郭立强;濮华胜;凌智勇 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C25B3/00 | 分类号： | C25B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及聚吡咯导电薄膜的制备方法，特指一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法。本发明采用三电极系统，以饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为辅助电极，不锈钢为工作电极，采用恒电位模式进行聚合，聚合电位控制在0.6V‑0.8V，聚合时间不小于60分钟，开始时聚吡咯薄膜先在不锈钢片工作电极上聚合，当不锈钢片上铺满聚吡咯薄膜后开始以不锈钢片为中心，以液面为支撑，向外铺展生长聚吡咯薄膜。采用该方法制备的聚吡咯导电薄膜，导电性能良好，无需从基底上剥离，可以方便地用于微电子器件的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 支撑 导电 吡咯 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法，采用三电极系统，以饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为辅助电极，不锈钢为工作电极，其特征在于包括如下步骤：(1)将吡咯单体溶于去离子水中配置成浓度为0.1mol/L‑0.2mol/L的吡咯单体溶液；(2)制备过程在水溶液中进行，取吡咯单体溶液按体积比2：1混合于支持电解质溶液中，支持电解质溶液为浓度0.05mol/L的去离子水溶液，在聚合前先向溶液中通入干燥的氮气以排除溶解于溶液中的氧，从而避免聚合时溶解氧被还原而影响聚吡咯薄膜的形成；(3)反应在室温下进行，溶液的pH值严格控制在7～8之间，采用恒电位模式进行聚合，聚合电位控制在0.6V‑0.8V，聚合时间不小于60分钟，开始时聚吡咯薄膜先在不锈钢片工作电极上聚合，当不锈钢片上铺满聚吡咯薄膜后开始以不锈钢片为中心，以液面为支撑，向外铺展生长聚吡咯薄膜。
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