[发明专利]一种多晶硅逆向凝固装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310530845.7 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN103553052A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 谭毅;任世强;石爽;姜大川;李鹏廷 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种多晶硅逆向凝固装置及方法,属于多晶硅生产领域。一种多晶硅逆向凝固装置,包括炉体、真空系统、充气系统、定向凝固熔炼系统、顶部升降机构、底部升降机构,所述顶部升降机构包括顶部升降旋转装置,顶部升降旋转装置的下端固定顶部连接杆,顶部连接杆的另一端固定籽晶盘;所述顶部升降旋转装置位于炉体的外部,所述顶部连接杆穿过炉体的上表面;所述籽晶盘位于定向凝固熔炼系统中硅液承装装置的上方。本设备和方法,保证硅由顶部向下凝固,当凝固后期富集杂质硅液不再进行定向凝固,抑制反扩散同时提高生产效率和产品的出成率。
搜索关键词: 一种 多晶 逆向 凝固 装置 方法
【主权项】:
一种多晶硅逆向凝固装置,包括炉体(400)、真空系统、充气系统、定向凝固熔炼系统、顶部升降机构、底部升降机构,所述顶部升降机构包括顶部升降旋转装置(101),顶部升降旋转装置(101)的下端固定顶部连接杆(102),顶部连接杆(102)的另一端固定籽晶盘(103);所述顶部升降旋转装置(101)位于炉体(400)的外部,所述顶部连接杆(102)穿过炉体(400)的上表面;所述籽晶盘(103)位于定向凝固熔炼系统中硅液承装装置(202)的上方。
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