[发明专利]一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器无效
| 申请号： | 201310509365.2 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103526279A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 吕云安 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100023 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，包括设置在坩埚外围的下加热器和上加热器，下加热器和上加热器之间部份进行重叠，以消除上加热器与下加热器的接口处出现冷点。本发明中使二个加热器接口部份重叠，而重叠部份的长度可以用改变活动石墨电极杆的长度进行调节，这样就消除了接口处的温度奇异点。从而获得最佳的适合GaAs晶体生长的热场分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gaas 晶体生长 套筒 石墨 加热器 | ||
【主权项】：
一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，其特征在于，包括设置在坩埚外围的下加热器和上加热器，下加热器和上加热器之间部份进行重叠，以消除上加热器与下加热器的接口处出现冷点。
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